Последние достижения в области электронной оптики обеспечивают пространственное разрешение сканирующих электронных микроскопов на уровне 1,0 нм и ниже даже при относительно низком ускоряющем напряжении около 1 кВ. Во второй части статьи рассмотрены примеры применения сканирующего электронного микроскопа с высоким пространственным разрешением для исследования различных материалов и объектов. В числе решаемых задач: анализ с использованием детекторов вторичных и обратно-рассеянных электронов, работа в режиме большой глубины резкости при наблюдении поверхностных структур, получение контрастных изображений при низком ускоряющем напряжении в оже-электронной спектроскопии, изучение состава веществ и химических связей с использованием энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии и спектроскопии мягкого рентгеновского излучения. Также рассмотрены вопросы пробоподготовки и выбора условий измерения. Отмечено, что сканирующая электронная микроскопия имеет большой потенциал для роста.

УДК 53.086; ВАК 05.11.01
DOI: 10.22184/2227-572X.2018.08.5.448.456

sitemap

Разработка: студия Green Art